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学术活动
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【创源大讲堂】骨架编辑:仲胺的氮原子删除和插入化学hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年8月27日(星期四)14:00九里校区科技工业园C座103报告厅陆红健教授内容简介仲胺的氮原子删除与插入是通过选择性移除或引入一个氮原子实现分子骨架的重组。实际上该策略具备简洁的逆合成分析逻辑、高原子经济性,且能将易得的氮杂环高效转化为传统方法难以获取的碳环或二氮杂环,具有独特优势。因此,它在分子骨架编辑领域展现出巨大潜力。本报告重点介绍了利用磺酰二叠氮和二苯基磷酰羟胺实现仲胺的氮原子删除和插入反应的方法。并展示了这些方法在复杂分子骨架编辑中的应用。 -
【创源大讲堂】天然产物合成化学的融合创新化学hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年8月27日(星期四)10:00九里校区科技工业园C座103报告厅洪然研究员内容简介天然产物全合成研究不仅加深对复杂分子结构的理解,推动合成方法和基础化学理论的发展,也有助于科学家揭示其生物学功能,为临床药物发现提供物质基础。结合新的合成技术和学科的交叉融合,不断拓展天然产物合成化学研究的边界。从合成策略、方法和生物催化的维度。分享团队致力于这一交叉领域的研究进展。 -
【创源大讲堂】Deploying and Scheduling mobiles Service Resources with Relocation: Formulations and Exact Algorithms机械工程hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年09月01日上午11点九里校区机械馆2223室吴鹏 教授内容简介运筹优化、不确定性优化、数据驱动决策及智能交通与物流系统研究 -
【创源大讲堂】Three Roads to Low-Emission Long-Haul Trucking: An Optimization Perspective机械工程hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年09月01日上午09点九里校区机械馆2223室Nils Boysen 教授内容简介物流优化学术报告 -
【创源大讲堂】Dynamic Pricing and Product Quality with Review–Driven Learning经济管理hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年7月21日(周二)下午14:30九里校区零号楼0218室Perera Sandun Chamara 教授内容简介 -
【创源大讲堂】去芳构化策略驱动的天然产物合成化学hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年8月29日(星期六)16:00九里校区科技工业园C座103报告厅丁寒锋教授内容简介天然产物合成是有机化学的核心学科之一,其研究过程也是发现和发展新的有机合成思想、理论、方法及策略的重要途径,对有机化学的发展意义重大。此外,天然产物也是新药结构的主要来源。据统计,目前约50%的小分子药物源自天然产物及类似物,以天然产物合成为基础的分子结构简化技术已成为当前创新药物研发的重要方式。近五年来,我们以具有重要生物活性的萜类、生物碱等天然产物为主要目标,探索和发展了新颖的去芳构化策略,实现了一系列复杂分子的高效全合成。为这些化合物后续的功能研究奠定了基础。本次报告将主要介绍基于氧化去芳构化促(ODI-)的(5+2)环加成反应及其在多奎烷类天然产物全合成中的重要应用价值。 -
【创源大讲堂】Hidden Markov Modulated Deep Learning Model for Retail Forecasting with Interpretation经济管理hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年7月17日(周五)上午10:00九里校区零号楼0218室Mohamed Wahab Mohamed Ismail 教授内容简介 -
【创源大讲堂】 Dynamic Robustness of Wide Bandgap Power Devices集成电路科学与工程hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴(西南交大-中车时代微电子hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴)2026年8月27日(星期四)9:30犀浦校区综合楼148Josef Lutz教授内容简介This lecture addresses the dynamic robustness of Wide Bandgap (WBG) power devices, defined as their capability to withstand overload conditions without catastrophic failure. While these devices generally exhibit high overload capability during standard switching operations, short-circuit events remain a critical threat to both Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) technologies. -
【创源大讲堂】 Application Reliability of Wide Bandgap Power Devices集成电路科学与工程hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴(西南交大-中车时代微电子hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴)2026年8月26日(星期三)14:30犀浦校区综合楼148Josef Lutz 教授内容简介This lecture focuses on the application reliability of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) wide bandgap (WBG) power semiconductors. The presentation will begin by contrasting the material properties of SiC and GaN with those of traditional Silicon (Si), highlighting the implications of these differences for device reliability. -
【创源大讲堂】Discrete Rapidly-Exploring Random Tree for Large-Scale MAPF and Its Extensions机械工程hth官方网页版成为德甲联赛官方合作伙伴2026年09月01日上午10点九里校区机械馆2223室辛健斌 教授内容简介多机器人系统规划与智能物流系统研究


